销售咨询热线:0510-87185314
你所在的位置:网站首页 > 新闻资讯
半导体设备用关键零部件——高纯氧化铝等离子刻蚀腔体
日期:2026/09/10    作者:shen

1.产品简介

江苏省陶瓷研究所有限公司生产的等离子刻蚀腔体陶瓷零部件主要应用于半导体晶圆制造过程中的刻蚀机和PECVD薄膜沉积设备,用作腔体内部绝缘、屏蔽、防腐内衬结构件。


零部件可长期耐受腔体内部强腐蚀等离子气体、酸碱工艺气体冲刷,避免金属杂质析出污染晶圆,保障刻蚀、薄膜沉积工序的精度与良率;同时均匀的电气特性可稳定腔体内电场分布,降低晶圆加工色差、刻蚀速率不均等工艺缺陷。

2.产品特点

江苏省陶瓷研究所有限公司专注于研发和生产半导体领域所需的高纯氧化铝陶瓷零部件,其相关产品广泛应用于等离子刻蚀腔体部件,满足了国内外市场的需求。并且产品可根据客户需求进行性能和形状上的定制,保障售后产品质量服务。秉承着合作共赢、共同进步的理念与上下游产业接洽。

公司生产的等离子刻蚀腔体零部件以高纯超细氧化铝粉体为原料,采用冷等静压成型、高温烧结一体化工艺加工成型。产品晶粒细小、整体致密度高,开口气孔数量极少,化学惰性强,耐等离子体、酸碱气体侵蚀;整体密度均匀,等离子阻抗、介质损耗等电气参数一致性优异,可稳定维持腔体内部等离子环境,减少刻蚀工艺偏差,与其他厂家相比具有以下优势:

(1)材质与工艺优势

原料选用高纯超细氧化铝粉料,成型采用等静压工艺,坯体各处压力均匀,烧结后整体密度波动小,无局部疏松、气孔缺陷;高温烧结后晶粒细化,表面致密光滑,酸碱腐蚀介质难以渗透基体,大幅延长腔体配件更换周期。

(2)电气与等离子适配优势

产品介质损耗低,全域等离子阻抗均匀,设备运行时腔体内部电场、等离子分布稳定,不会因陶瓷件局部性能差异造成晶圆刻蚀深浅不一,适配高精度先进制程芯片加工需求。

(3)对比其它材料腔体配件优势

金属腔体零部件易被刻蚀工艺腐蚀,产生金属离子污染晶圆,且电气绝缘性能差,易干扰等离子稳定;普通低纯度陶瓷气孔多,腐蚀介质易渗入内部,长期使用易开裂、掉粉。高纯氧化铝陶瓷腔体件耐酸碱腐蚀性能达99.8%,无金属析出风险,绝缘性能稳定,使用寿命远优于不锈钢、铝合金等金属配件;相比低纯度氧化铝陶瓷,致密度、硬度、抗弯强度更高,抗等离子冲刷能力更强。

(4)装配结构相关特点

装配结构为整体一体式陶瓷结构,无金属内嵌、粘接结构,全程仅陶瓷基体接触工艺气体,从源头杜绝胶水、金属芯带来的杂质污染;可适配设备高温、高低温循环工况,不存在胶体高温脱粘、分层失效问题,适配连续化晶圆量产生产线。

(部分内容含有AI成分)

新闻